氮化时间对脉冲激光沉积AlN薄膜性能的影响

作者：刘作莲; 王海燕; 杨为家; 王文樑; 李国强

来源：半导体技术, 2014, 39(11): 836-845.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.11.008

• AlN薄膜
• 脉冲激光沉积(PLD)
• 氮化时间
• 高分辨X射线衍射(HRXRD)
• 扫描电子显微镜(SEM)

应用脉冲激光沉积(PLD)技术在氮化处理后的蓝宝石衬底上外延生长AlN薄膜。研究了氮化处理时间对AlN薄膜结构性能和表面形貌的影响,利用原位反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过程进行实时观测,利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对AlN薄膜的结构性能以及表面形貌等进行表征和分析。结果表明,随着氮化时间的增加,AlN形核种子数量增加并逐渐有序,促进AlN薄膜由多晶转为单晶并提高其晶体质量,有利于AlN薄膜由三维生长转为二维生长,改善AlN薄膜表面形貌。为采用PLD技术制备高质量AlN基器件提供了一种新思路。

• 单位
  华南理工大学