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摘要
本发明公开了具有平面分布式沟道的GaN基射频器件及其制备方法。所述器件包括异质结外延层等结构,所述器件还包括平面分布式沟道结构。所述平面分布式沟道结构由离子注入设备实现,在通过离子注入实现GaN基射频器件平面隔离的同时,在连续的沟道插入高阻区,将连续的沟道划分为周期性排列的微沟道结构即平面分布式沟道结构。本发明相比于传统连续沟道器件,大大降低器件的沟道温度以及自热效应,提升器件的最大饱和电流、功率输出密度以及效率,同时器件的栅极漏电没有增加并且小信号特性没有明显的退化。另外所述的平面分布式沟道结构与器件离子注入平面隔离工艺相兼容,不用增加额外的工艺步骤,工艺简单容易实现。
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