VLS机制生长SiC晶须研究

作者：陈一峰; 刘兴钊; 邓新武

来源：材料导报, 2010, S1: 89-90.

• SiC
• 化学气相沉积
• 晶须 silicon carbide
• chemical vapor deposition
• whiskers

采用化学气相沉积方法,以Ni薄膜为催化剂,CH_4、SiH_4为反应气体,H_2为载气,成功地在Si基片上生长出β-SiC晶须。运用X射线衍射和扫描电子显微镜系统地研究了不同催化剂厚度对SiC晶须形貌、结构和化学成分的影响。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学