基于离子注入衬底的高电子迁移率晶体管及其制备方法

作者：许晟瑞; 徐爽; 陶鸿昌; 谢磊; 卢灏; 杨赫; 张涛; 张进成; 郝跃

来源：2023-08-28, 中国, CN202311091668.7.

本发明公开了一种基于离子注入衬底的高电子迁移率晶体管,包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、势垒层和沟道层；其中,衬底为经过离子注入处理的c面蓝宝石衬底,离子注入元素为N离子、Al离子或O离子,注入剂量为1×10～(12)cm～(-2)～1×10～(16)cm～(-2),注入能量为30keV～70keV；源极和漏极,位于沟道层上,且分别位于沟道层的两端；栅极,位于沟道层上,且栅极位于源极和漏极之间,且栅极、源极和漏极之间均间隔设置。本发明能够提高器件的输出功率、工作频率和可靠性。

• 单位
  西安电子科技大学