基于重新定义t_(doff)的SiC MOSFET结温估计方法

作者：郑磊; 杜明星

来源：电力电子技术, 2021, 55(05): 153-156.

DOI：10.3969/j.issn.1000-100X.2021.05.040

• 金属-氧化物半导体场效应晶体管
• 结温
• 关断延迟时间

碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结温的精准估计是其损耗计算、寿命预测与可靠性评估的重要基础。SiC MOSFET的结温估计常采用热敏感电参数法,该方法具有快速响应与高准确度等优点。首先研究了 SiC MOSFET关断阶段的电气行为特性,并重新定义了关断延迟时间的区间。其次,分析重新定义的关断延迟时间与温度的理论关系,进而证明相比于传统定义下的关断延迟时间,重新定义的关断延迟时间具有更为优良的温度特性。最后,提出以重新定义的关断延迟时间作为热敏感电参数的SiC MOSFET结温在线估计方法。实验结果表明,提出的方法具有较高的测量精度。

• 单位
  天津理工大学