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摘要
直流偏置能较好抑制射频容性耦合等离子体(radio frequency capacitively coupled plasma, RF-CCP)表面充电效应，但仍存在其对RF-CCP放电参量影响规律不明确，电源对参量控制复杂等问题.构建了直流源与射频源的板-板结构RF-CCP仿真模型，在射频源基础上施加负直流源，研究直流偏置对RF-CCP放电特性影响，并比较射频与直流偏置对放电参量影响差异.结果表明，无直流源时，周期平均电子密度Ne, ave,周期平均电子温度Te, ave均为对称分布，Ne, ave呈现两端小、中间大的凸函数分布，Te, ave在距极板4 mm以内鞘层区均有陡然上升，极大值出现在距极板1 mm左右处；直流源会使等离子体主体区Ne, ave升高并发生偏移，直流源侧Ne, ave降低，对侧Ne, ave增加，且对侧增加速率较快.直流偏置可改善单侧电子温度与电子通量，但提高电子密度能力弱于射频源.实际工程中，若欲提高单侧电子温度与电子通量，应施加直流源，若提高整体电子密度，应提高射频源功率.
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