InGaAs的荧光性质与生长温度的关系研究

作者：高汉超^*; 王伟; 于海龙; 马奔; 尹志军; 李忠辉

来源：固体电子学研究与进展, 2021, 41(04): 309-312.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2021.04.011

• 化合物半导体
• 分子束外延
• 荧光

研究了InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性。InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增加而降低。由于存在载流子局域势,荧光峰位偏移与温度依赖关系呈现典型的S形。使用两个激活能Ea和Eb来拟合荧光的积分强度,Ea可能与局域能Eloc有关,Eb与缺陷引导的非辐射复合过程有关。当生长温度低于490℃时,Eb随生长温度而增加,并在490～520℃之间保持稳定。本实验对生长高质量的InGaAs材料有指导意义。