<正>(接2017年第5期第80页)(2)中频溅射的沉积速率高。对硅靶,中频反应溅射的沉积速率是直流反应溅射速率的10倍。比射频溅射高五倍左右。(3)中频溅射过程可稳定在设定的工作点。它既消除了"打火"现象,又能够克服直流放电状态下常出现的靶中毒和阳极消失现象。(4)中频电源的制作成本较低,设备安装、调试及维护比射频溅射容易,运行稳定,中频电源
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