串联IGBT的一种新型单信号驱动电路

作者:李国光; 梁伟*; 曹传林
来源:电子世界, 2020, (01): 133-134.
DOI:10.19353/j.cnki.dzsj.2020.01.065

摘要

<正>单个IGBT的耐压水平有限,通常通过串联使用来提高耐压值。在IGBT的串联使用中,各个IGBT的集电极和发射极两端电压不均衡是需要解决的关键性问题。针对IGBT串联中以往各种均压驱动技术,本文提出了一种串联IGBT均压驱动的新思路,使用单一信号驱动串联IGBT的设计方法,其电路结构简单可靠,均压效果理想,导通关断延时基本取决有IGBT器件本身。通过Multisim软件进行了仿真,验证了可行性。