摘要
采用磁控溅射法制备氧化钨(WO3),基于电流驱动模型设计制备无需对电极层的新型窗帘式电致变色器件,并对器件的边框、WO3薄膜的最佳厚度和离子储存区尺寸进行了系统优化。结果表明,制备得到的WO3薄膜在550 nm波长处的调制率高达78%,1000圈循环伏安曲线测试后电荷储量衰减率仅为3.5%;设计的窗帘式器件显色区域高度可控,且消除了对电极对器件性能的影响。该研究为电致变色器件结构创新提供了新思路。
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单位五邑大学; 材料学院