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摘要
本发明公开了一种新型高频半导体栅极的制作方法,包括：选取势垒层；在势垒层上形成夹层结构,其中,夹层结构自下而上依次包括：第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层和第二金属层；光刻夹层结构后形成第一结构；对第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构；对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。本发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成,从而将栅脚与栅头分离,第二金属层作为阻挡层,易于栅金属的剥离,且第一金属层、第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷,对曝光图形不影响,由此得到形貌规整的T形栅,可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。
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