印刷氧化铝技术在黑硅PERC多晶太阳电池中的应用

作者：于琨^*; 王占友; 郑海陆; 郭明州; 孙亚娟; 贺美亮; 李会玲

来源：太阳能, 2019, (09): 40-43.

• 印刷
• 氧化铝浆料
• PERC
• 黑硅
• 多晶
• 太阳电池

黑硅PERC多晶太阳电池采用背抛光工艺,其背面刻蚀深度在4.0±0.2μm,在800～1050 nm的光学波长范围内,其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10%左右;采用氧化铝及氮化硅钝化制备的黑硅PERC多晶太阳电池,WT-2000测得其少子寿命达到33μs;开路电压提升了15.2 mV,短路电流提高了0.372 A,效率达到20.06%。