等离子束辅助沉积制备ZnO薄膜的特性研究

作者：甄万宝; 朱世富; 赵北君; 宋志棠; 封松林

来源：四川大学学报(工程科学版), 2004, (06): 77-81.

• 等离子束辅助沉积
• 光致发光
• ZnO薄膜 plasma beam assisted deposition
• photoluminescence
• ZnO thin films

采用等离子束辅助沉积的方法在n-Si(001)衬底上制备出ZnO薄膜。X射线衍射谱显示,所制备的ZnO薄膜有较强的(002)晶面衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的,并且随着退火温度升高,晶粒逐渐增大,衍射峰逐渐增强。光致发光谱测量发现,样品分别在3.28eV和2.48eV存在紫外发射和深能级发射两个较强的发射峰,并且随着退火温度升高,深能级发射逐渐减弱,紫外发射峰得到进一步改善。四探针测试电阻率结果表明,随着退火温度的升高,ZnO薄膜的电阻率呈线性增加。

• 单位
  四川大学; 材料科学与工程学院; 中科院上海微系统与信息技术研究所