碳化硅陶瓷材料具有优异的高温力学性能、热学性能以及化学稳定性,在化工、冶金、机械、能源、环保等工业领域以及半导体、光电子等现代科技领域得到了广泛应用。本文从SiC晶体结构特征及粉体烧结特性入手,详细论述了碳化硅陶瓷的重要烧结工艺的研究进展,既包括主流的反应烧结、无压烧结、热压烧结、热等静压烧结,又包括最新发展起来的放电等离子烧结和振荡压力烧结技术,并着重介绍了各项烧结技术的烧结特性、烧结机理、材料与产品性能等方面,最后对碳化硅陶瓷材料的发展进行了展望。
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