Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3/SrRuO_3铁电隧穿结的制备与性能研究

作者：刘小辉; 朱俊; 郑林辉; 房丽彬

来源：电子元件与材料, 2016, (08): 14-17.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.08.004

• PZT铁电材料
• 铁电隧穿结
• 脉冲激光沉积
• 隧穿电阻效应
• 铁电极化 PZT ferroelectric material
• ferroelectric tunneling junction
• pulsed laser deposition
• tunneling electroresistance effect
• ferroelectric polarization

采用脉冲激光沉积法(PLD)在(001)SrTiO_3基片上制备了基于Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3/SrRuO_3/SrRuO_3(PZT/SRO)的铁电隧穿结。利用多种表征手段测试并分析薄膜微观结构及电性能。结果表明:PZT和SRO薄膜具有良好的取向结晶性,实现了薄膜的外延生长。8 nm PZT薄膜具有稳定的铁电性能,在外电场为7 500×10~3 V·cm~(–1)时,其剩余极化(2P_r)为3.79×10~(–6)C·cm~(–2),矫顽场(2Ec)为4 300×10~3 V·cm~(–1)。室温条件下,隧穿结经±7 500×10~3 V·cm~(–1)电场极化后具...

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室