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摘要
本发明公开了一种基于物理建模仿真的GaN HEMT噪声改善方法,涉及集成电路器件的仿真技术。针对现有技术中噪声改善不理想的问题提出本方案,将仿真结果与实测结果进行拟合后,在保持仿真过程中直流特性改变不超过限定范围的条件下循环调整仿真GaN HEMT的势垒层结构来改善噪声特性,直至获得目标噪声性能为止。优点在于,通过对GaN HEMT结构进行物理建模和网格划分处理和噪声特性优化,可以改善GaN HEMT的噪声性能,提高噪声建模的准确性和可靠性,提高GaN HEMT的资用功率增益,更适合应用于研制高频、宽带、高动态低噪声GaN HEMT。
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