AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

作者：贲建伟; 孙晓娟; 蒋科; 陈洋; 石芝铭; 臧行; 张山丽; 黎大兵; 吕威^*

来源：人工晶体学报, 2020, 49(11): 2046-2067.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.11.003

• AlGaN基材料
• 外延生长
• 掺杂
• 紫外发光器件
• 紫外探测

AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展。以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展。在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展。

• 单位
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 中国科学院大学; 长春工业大学