掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

作者：黄伟; 张利春; 高玉芝; 金海岩

来源：Acta Physica Sinica, 2005, 54(05): 2252-2255.

DOI：10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.052

• 镍硅化物
• 快速热退火
• x射线衍射分析
• 卢瑟福背散射

报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性 .结果表明 ,经 6 5 0— 80 0℃快速热退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低 ,约为 2 .4 (Ω/□ ) .XRD分析表明薄膜中只存在NiSi相 ,而没有NiSi2 生成 .由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人 5 .9%Mo对改善Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用 .经 6 5 0— 80 0℃快速热退火后的Ni(Mo)Si/Si肖特基二极管电学特性良好 ,势垒高度ΦB 为 0 .6 4— 0 .6 6eV ,理想因子接近于 1,更进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性 .

• 单位
  北京大学