超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)

作者：赵正平

来源：半导体技术, 2021, 46(02): 81-103.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.02.001

<正>3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效应晶体管(MESFET)、MOSFET和JFET等,其沟道有两种:金刚石氢终端表面二维空穴气和p型掺杂层。

• 单位
  专用集成电路重点实验室