GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用

作者：李祈昕; 周泉斌; 刘晓艺; 王洪

来源：光学与光电技术, 2018, 16(06): 71-77.

DOI：10.19519/j.cnki.1672-3392.2018.06.012

• 氮化镓基高电子迁移率晶体管
• 无金欧姆接触
• 低温合金
• 欧姆前刻槽
• 退火工艺

制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响。系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/GaN异质结的Ti/Al/Ti/TiW无金电极的电流-电压特性、接触电阻率以及电极表面形貌。并利用低温退火的Ti/Al/Ti/TiW无金工艺制备了AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件。实验结果表明,采用该无金工艺可得到比接触电阻率为5.44×10-5Ω·cm2、表面形态平整的欧姆接触电极,所制备的AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件,在VGS=0V时的源漏饱和电流(IDSS)为345.7mA/mm,对未掺杂AlGaN/GaN HEMTs器件的低温无金欧姆接触的实现具有指导意义。

• 单位
  华南理工大学; 中山市华南理工大学现代产业技术研究院