电流互感器饱和影响因素及其对保护动作的影响

作者：晏永飞; 李能昌; 王叶星; 李家汉; 梁刚; 卓磊

来源：人民长江, 2022, S1: 174-178.

DOI：10.16232/j.cnki.1001-4179.2022.S1.042

• 电流互感器
• 饱和现象
• 继电保护
• PSCAD
• 时域仿真

电流互感器(Current Transformer, CT)的饱和现象往往影响系统的正常运行，可能引起系统继电保护装置的拒动或误动。针对CT的饱和问题，分析了CT饱和的影响因素，在PSCAD中搭建了一个双端供电网络并对各影响因素进行仿真分析，然后利用该网络对CT饱和给系统继电保护带来的影响进行了仿真分析。结果表明：系统短路故障是CT饱和的诱发因素；系统电压等级越高、故障发生时刻越滞后，CT饱和程度越低；CT二次侧电阻、铁心剩磁越小，铁心截面积越大，则CT饱和程度越低；CT绕组匝数越多、变比越大，则故障期间CT饱和程度越低；区内、区外故障期间CT磁感应强度变化方向是相反的，同等条件下区外故障比区内故障对CT的饱和影响大。