离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析

作者：何波; 马忠权; 史衍丽; 徐静; 赵磊; 李凤; 沈成; 沈玲

来源：光电子技术, 2009, (01): 14-17+22.

DOI：10.19453/j.cnki.1005-488x.2009.01.003

• HgCdTe
• 离子束刻蚀
• 泊松方程
• Hg源扩散 HgCdTe
• ion beam milling
• poisson′s equation
• diffusion of Hg sourse

根据由离子束刻蚀HgCdTepn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。

• 单位
  上海大学; 武汉理工大学; 昆明物理研究所; 材料复合新技术国家重点实验室