研究电极结构、SiC与电极连接结构对界面场强的影响，通过电极边缘以及SiC晶体结构的优化降低界面处的电场增强，并通过高压试验测试优化电极结构的击穿电压。结果表明，优化电极倒角以及SiC晶体与电极的界面下埋可有效降低电场增强，在电极为圆倒角及界面使用焊料连接的结构下，使用介质环的器件在电压22 kV时击穿。
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