有源层厚度对MGZO光电晶体管性能的影响

作者：孙玉轩; 高晓红^*; 王森; 王晗; 张悦

来源：吉林建筑大学学报, 2023, 40(02): 77-83.

• MGZO
• 光电晶体管
• 磁控溅射
• 有源层厚度

室温情况下使用射频磁控溅射设备在100 nm的P型单抛热氧化SiO2上生长镁镓掺杂氧化锌(MGZO)薄膜，并制备成光电晶体管器件.分析MGZO薄膜生长过程中不同有源层厚度对薄膜及器件的影响.使用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜厚度、表面形貌分析薄膜质量，通过紫外-可见分光光度计(UV-Vis)表征样品的可见光透过率分析其光学特性，使用X射线衍射仪(XRD)分析MGZO薄膜组分.实验结果表明，不同有源层厚度的MGZO薄膜在可见光区域的平均透过率均在95%以上.当有源层厚度为40 nm时MGZO器件的电学性能整体达到最佳，迁移率为8.67 cm2·V-1s-1,阈值电压为1.0 V,亚阈值摆幅为0.926 V·dec-1,开关电流比达到5.28×107.

• 单位
  吉林建筑大学