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摘要
本发明涉及一种多孔少层h-BN纳米片及其制备方法。其技术方案是：将三聚氰胺和氯化铵混合,在空气气氛和450～650℃条件下保温,清洗,干燥,得到g-C3N4材料。将四硼酸钠加入容器中,再加入去离子水,在水浴条件下搅拌,在同样条件下加入g-C3N4材料,继续搅拌,得到混合溶液,将混合溶液移入旋转蒸发仪中蒸发浓缩,干燥,然后置于氧化铝坩埚中,将氧化铝坩埚置于高温管式气氛炉中,在氨气或氮气气氛下升温至500～550℃,保温,升温至1100～1300℃,保温,自然冷却,清洗,干燥,制得多孔少层h-BN纳米片。本发明成本低廉,工艺简单；所合成的多孔少层h-BN纳米片具有结构形貌可控、纯度高、产率高且厚度较薄的特点。
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