Mg掺杂InxGa1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征(英文)

作者：王雪文^*; 吴朝科; 高海波; 翟春雪; 李振杰; 张志勇; 贺琳

来源：稀有金属材料与工程, 2019, 48(04): 1074-1078.

• InxGa1-xN薄膜
• 磁控溅射法
• Mg掺杂
• 电学性能

采用磁控溅射法,用In2O3靶、Ga2O3靶、Mg靶在Si片上制备出InxGa1-xN薄膜和Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的InxGa1-xN薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地掺入InxGa1-xN薄膜。电学性能分析表明In0.84Ga0.16N和Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的In0.1Ga0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为2.65×1018 cm-3和3.9 cm2/(V·s)。

• 单位
  西北大学