清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响

作者：徐世海; 边子夫; 高飞; 张丽; 程红娟; 王健; 李晖

来源：微纳电子技术, 2021, 58(05): 452-457.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2021.05.014

• 氮化铝(AlN)单晶
• 除蜡剂
• 食人鱼溶液清洗法
• RCA清洗法
• 化学机械抛光(CMP)
• 有机沾污

研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子能谱仪(XPS)对清洗效果进行了表征,并分析了不同清洗方法对有机沾污的去除效果。实验结果表明,RCA清洗法清洗后晶片表面残留的有机沾污的含量最低,而食人鱼溶液清洗法可显著减小有机颗粒的尺寸,除蜡剂与丙酮和异丙醇的混合溶液对有机沾污的去除效果相近。优化的清洗工艺以丙酮和异丙醇的混合溶液作为初步清洗溶液,随后依次对晶片进行食人鱼溶液清洗和RCA清洗,应用此优化工艺清洗后的AlN单晶片表面颗粒较少,C—H键、C=O键和C—OH键的百分比分别为75.5%、20.4%和4.1%,表面粗糙度为0.069 2 nm。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所