抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究

作者：张秀芳; 杜红文; 张瑞丽; 张亚萍; 孙法; 席珍强

来源：浙江理工大学学报, 2010, (02): 283-286.

• Si(100)单晶片
• 表面粗糙度
• 温度
• NaOH浓度 (100) monocrystal silicon
• surface roughness
• temperature
• the concentration of NaOH solution

采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si(100)单晶片表面粗糙度的影响,结果表明:低温下,硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大,是造成硅片表面粗糙度大的主要原因;而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响,局部腐蚀速率差减小,硅片表面较为平整。另外,硅片在质量分数为20%~30%的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小,是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快,而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。

• 单位
  浙江机电职业技术学院; 浙江理工大学