IGBT结构设计发展与展望

作者：李碧姗; 王昭; 董妮

来源：电子与封装, 2018, 18(02): 1-45.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0012

• IGBT
• PT
• NPT
• SPT
• Trench-FS
• CSTBT
• RC-IGBT

首先从绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)的物理模型展开讨论,分析了影响IGBT性能的几个重要特性参数,对其结构的优化和改进提供了理论支撑。其次论述了IGBT问世以来的主要结构设计发展历程,以及国际主流IGBT设计厂商对各自IGBT产品结构做出的独创性改进。最后对目前研究的新技术热点如逆导型IGBT半导体器件进行了介绍,并对IGBT器件的发展方向提出展望。