Nb_2O_5掺杂NiFe_2O_4陶瓷材料的显微结构和导电性能

作者：王昊; 周科朝; 李志友

来源：中国有色金属学报, 2013, 23(02): 410-416.

DOI：10.19476/j.ysxb.1004.0609.2013.02.016

• NiFe2O4
• 导电性能
• 物相组成
• Nb2O5掺杂

以NiO、Fe2O3和Nb2O5为原料,采用固相烧结法合成陶瓷粉体,通过等静压-气氛烧结法制备Ni1-xNbxFe2O4(x=0,0.02,0.05,0.07,0.10,0.20)陶瓷试样,并对其进行导电性能测试。通过XRD、SEM、EDX、FTIR和XPS等分析手段对材料的物相组成、显微结构和微区成分进行表征,研究Nb2O5掺杂对陶瓷材料显微结构和导电性能的影响。结果表明:Nb2O5掺杂抑制NiFe2O4基体中NiO相的出现,过量时生成FeNbO4相;适量掺杂(x=0.05)有利于消除晶界孔隙,提高陶瓷的烧结密度;与未掺杂试样相比,掺杂Nb2O5的NiF2O4陶瓷材料的导电性均得到很大改善,其中掺杂量x=0.05的Ni0.95Nb0.05Fe2O4陶瓷试样在1 233 K的电导率较纯NiFe2O4的提高60%。

• 单位
  中南大学; 粉末冶金国家重点实验室