多级结构SiC纤维制备及电化学性能研究

作者：刘盼; 吕东风; 呼世磊; 卜景龙^*; 魏恒勇; 崔燚; 陈越军

来源：人工晶体学报, 2018, 47(11): 2277-2287.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2018.11.008

• SiC纤维
• 静电纺丝
• 多级结构
• 渗硅工艺

鉴于中空和表面多级结构有助于提升超级电容器电极材料电化学储能性能,以正硅酸四乙酯(TEOS)为硅源,以PVP为助纺剂,运用静电纺丝结合碳热还原技术制备出中空Si C纤维,并采用渗硅技术在Si C纤维表面构筑出球形纳米颗粒的多级结构。研究表明,采用静电纺丝结合碳热还原可以得到具有中空结构、连续性好且结晶程度较高的β-Si C纤维,其比电容为22 F/g。采用渗硅工艺可在β-Si C纤维表面生长球形颗粒多级结构,提升其电化学性能,使其具有较大比电容,为54 F/g。

• 单位
  华北理工大学