异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善

作者：王凯; 张永刚; 顾溢; 李成; 李好斯白音; 李耀耀

来源：红外与毫米波学报, 2009, (06): 405-409.

• 数字梯度超晶格
• InP缓冲层
• InxGa1-xAs
• 位错 digital graded superlattice
• InP buffer layers
• dislocations

采用气态源分子束外延方法生长了三种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.

• 单位
  中国科学院研究生院; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所