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摘要
近年来,二维(2D)半导体材料由于其具有一系列独特的性能,使其能够应用到各个领域,从而受到人们的广泛关注。带隙作为半导体材料的重要性质之一,在实际应用中,人们往往需要对半导体带隙的大小进行调控,从而满足实际的需求。在这些材料中,ZnSe单层由于其具有的出色的光学特性,使其能够应用于光电领域,但是其带隙较宽,无法充分吸收可见光。本文中,我们将通过第一性原理计算来研究二维ZnSe单层的电子结构,并且证明出通过引入掺杂原子,能够有效地减小半导体的带隙。这将对二维材料在各个领域的应用具有重要意义。
