铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制

作者：王海英; 王辰伟; 刘玉岭^*; 赵红东; 杨啸; 陈志博; 王雪洁

来源：电镀与涂饰, 2023, 42(15): 57-64.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2023.15.009

• 铜互联
• 阻挡层
• 化学机械抛光
• 互连线厚度
• 去除速率
• 电阻

集成电路铜互连沟槽内互连线厚度(THK)影响着集成电路的性能，是集成电路制造工艺重要评定参数之一。基于无氧化剂、无缓蚀剂的碱性抛光液，研究了铜螯合剂FA/O II、介质促进剂柠檬酸钾(CAK)和抑菌剂1,2-苯并异噻唑啉-3-酮(BIT)对铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)中Cu去除速率和TEOS(正硅酸乙酯)去除速率及THK的影响。结果表明，THK受TEOS与Cu去除速率选择比的影响，与铜电阻呈负相关的关系。当FA/OⅡ质量分数为0.8%、CAK质量分数为1%及BIT质量分数为0.04%时，TEOS与Cu的去除速率比约为1.7,THK和电阻分别为225 nm和0.18Ω，均满足工业生产要求。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学