VLS机制下SiC晶须的生长

作者：王茳; 刘兴钊; 邓新武

来源：微纳电子技术, 2007, (10): 943-945.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2007.10.002

• 化学气相沉积法
• 气-液-固机制
• 碳化硅晶须 CVD technique
• VLS mechanism
• SiC whisker

采用化学气相沉积(CVD)法以气-液-固(VLS)机制生长了碳化硅(SiC)晶须,系统研究了基片表面的气流状况、生长温度和反应室总气压等对SiC晶须形貌的影响。研究结果表明:当基片表面存在较强的平流状态时,以生长SiC薄膜为主,很难形成晶须;生长温度及反应室总气压对晶须的直径有较大影响,合适的生长温度以及较高的总压有利于晶须的生长。