高k介质对屏蔽栅沟槽型MOSFET电场调制的研究

作者：麻泽众; 冯全源^*; 赵宏美

来源：电子元件与材料, 2021, 40(10): 1017-1021.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1805

• 高k介质
• 屏蔽栅
• MOSFET
• 击穿电压
• 电场分布

为了优化屏蔽栅沟槽型MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,简称SGT结构)的电场分布,将高k介质代替部分沟槽绝缘介质层,提出了高k屏蔽栅沟槽型MOSFET(高k SGT结构)。分析了高k SGT结构的工作原理,通过在高k介质底部引入新的电场峰值,使电场分布更均匀以提高器件的耐压。Sentaurus TCAD软件仿真结果显示高k SGT结构的击穿电压为114.5 V,与传统SGT结构相比,击穿电压提高了10.7%,Baliga优值(BFOM)提高了15.2%。因此在不增加掩模的基础上,有效提高了器件的击穿电压。

• 单位
  西南交通大学