化学气相沉积GaN半导体薄膜的研究

作者：殷立雄; 黄剑锋; 王芬; 黄艳

来源：人工晶体学报, 2009, 38(S1): 32-35.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2009.s1.101

• GaN薄膜
• 化学气相沉积
• 半导体薄膜

以Ga2O3和NH3为原材料,采用化学气相沉积法在Si(111)基板表面制备了GaN半导体薄膜。采用XRD和AFM等分析测试手段对薄膜的相组成和显微结构进行了表征。采用四探针法对薄膜的电导率进行了测量。重点研究了薄膜的沉积温度对薄膜相组成及显微结构的影响。结果表明:当沉积温度大于1100℃时,可在Si(111)基板表面上沉积微晶GaN薄膜;随沉积温度的升高,薄膜的结晶程度提高,取向性增强;延长保温时间有利于沉积更为致密而结晶良好的薄膜;薄膜的面电导率随外电场强度的增加而增加;在强电场作用下,电流密度与电场强度不再服从欧姆定律关系;PL谱分析表明所制备的薄膜具有463 nm、488.5 nm和531.5 nm三个发射峰。

• 单位
  材料科学与工程学院; 陕西科技大学