采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计

作者：刘珂; 杨海钢; 尹韬

来源：微电子学, 2008, (02): 192-196+200.

• 带隙基准源
• 电压基准源
• 电源抑制比
• 温度补偿 Bandgap reference source
• Voltage reference source
• PSRR
• Temperature compensation

与传统的带隙基准电路完全使用p-n结达到高次温度补偿不同,提出利用标准CMOS工艺下不同电阻的不同温度系数,实现温度的高次补偿,大大减小了电路的复杂性和功耗。同时,通过增加电源电压耦合电路,提高电源抑制比,并在输出级利用低压差电压DC转换电路,实现电压转换,提供可调的多种参考电压。该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺实现,采用3.3 V电源电压,在-40~100℃范围内,达到低于6 ppm/℃的温度系数,在1 kHz和27℃下,电源抑制比达到82 dB。

• 单位
  传感技术国家重点实验室; 中国科学院电子学研究所; 中国科学院研究生院