不同形貌氮化硅纳米结构的制备与表征(英文)

作者：杜红莉; 曹传宝; 籍凤秋

来源：人工晶体学报, 2007, (05): 1011-1016.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.05.013

• 氮化硅
• VLS和VS生长机理
• 光致发光 silicon nitride
• VLS and VS mechanism
• photoluminescence

分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带。产物经X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等表征手段进行了分析。FTIR图谱表明它们在800 ~1100cm-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带。它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用。另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移(蓝移约4nm),这可能和晶须尺寸的少许差别有关。至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因,可能是纳米带的比表面积相对较大,有利于悬键的形成,从而导致材料结构内缺陷的浓度较大。

• 单位
  材料科学与工程学院; 石家庄铁道学院; 北京理工大学; 河北地质大学