热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散

作者：文娇; 刘畅; 俞文杰; 张波; 薛忠营; 狄增峰; 闵嘉华

来源：功能材料与器件学报, 2014, 20(06): 205-208.

• Si/SiGe互扩散
• 热载荷
• 硼浓度梯度

利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/Si Ge/Si异质结中Si/Si Ge异质界面互混的现象。结果表明:应变弛豫前Si/Si Ge异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/Si Ge异质界面的硼(B)浓度梯度抑制了界面互扩散。总之,Si/Si Ge互扩散作用越强诱发Si/Si Ge异质界面越粗糙,从而导致器件性能恶化。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 上海大学