(0.1～1.8)GHz SiGe HBT超宽带低噪声放大电路设计

作者：魏正华; 叶小兰; 孟洋; 肖辽亮

来源：宇航计测技术, 2019, 39(05): 27-32.

• 超宽带
• 低功耗
• 低噪声放大器
• 温度特性

本文选用SiGe材料低噪声放大芯片,设计了一款(0. 1～1. 8) GHz小型低功耗超宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA采用两级放大结构,负反馈方式实现宽带匹配,级间和输出端匹配采用小阻值电阻提高电路稳定性,电路尺寸为35mm×15mm。测试结果表明:工作频率为(0. 1～1. 8) GHz,在室温条件下,增益为30dB,噪声系数<0. 82dB,增益平坦度<0. 5dB,输入输出回波损耗<-10dB,直流功耗为41. 8mW;在-40℃低温条件下,增益为32dB,增益平坦度、输入输出回波损耗、直流功耗与室温下一致,噪声系数<0. 69dB。设计过程与测试结果验证了本文中使用室温SiGe放大管的S参数计算-40℃温度下该芯片S参数方法的可行性。

• 单位
  电子信息工程学院; 长沙民政职业技术学院; 长沙环境保护职业技术学院