非易失性纳米晶存储技术研究

作者：陈冠源

来源：科技视界, 2019, (14): 15-16.

DOI：10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2019.14.007

• 非易失性
• 纳米晶存储
• 存储器

当前硅基浮栅存储器已经无法满足超高密度存储的性能要求,器件结构尺寸难以进一步缩小,同时现代信息技术的发展对器件的速度、功耗、可靠性提出更高的要求。在此背景下,研究人员对于新型非易失性半导体存储器技术的研发成为热点。文章介绍了纳米晶存储器的改进方案,探讨了提升存储器件性能的方法。

• 单位
  国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心