摘要
分别使用反应溅射Al+α-Al2O3(15%α-Al2O3,质量分数)复合靶和在金箔基体表面预植α-Al2O3籽晶,促进α-Al2O3薄膜的低温沉积。使用扫描电子显微镜(SEM)、掠入射X射线衍射(GIXRD)和能谱仪(EDS)等方法表征薄膜样品的表面形貌、相结构和元素组成。结果表明,在射频反应溅射Al+α-Al2O3复合靶、沉积温度为560℃条件下能在Si(100)基体上沉积出化学计量比的单相α-Al2O3薄膜;使用射频反应溅射Al靶、沉积温度为500℃条件下能在预植α-Al2O3籽晶(籽晶密度为10~6/cm2)的金箔表面沉积出化学计量比的单相α-Al2O3薄膜。两种研究方案的结果均表明,α-Al2O3籽晶能促进低温沉积单相α-Al2O3薄膜。
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