La、Bi共掺杂Ag/SnO2触头材料导电性能的理论分析

作者：康慧玲; 王景芹^*; 张颖

来源：材料科学与工程学报, 2019, 37(03): 463-468.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.03.022

• Ag/SnO2
• 第一性原理
• 共掺杂
• 导电性

通过CASTEP软件计算了La、Bi共掺杂SnO2的电子结构和导电性能,分析了晶格常数、能带结构、态密度和电荷布局。分析结果表明,共掺杂后的材料仍为直接带隙半导体材料,共掺杂后晶胞体积增加,La的5p和Bi的6s、6p电子态进入导带部分,使导带底向低能端移动,费米能级进入价带顶,带隙变小,载流子只需较小的能量就可以从价带跃迁至导带,与La,Bi单掺杂相比,SnO2的导电性进一步增强。该仿真结果与已有的实验结果相互验证,为获得导电性优良的Ag/SnO2触头材料提供了理论支持。

• 单位
  河北工业大学