金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置

作者：袁广才; 闫梁臣; 徐晓光; 王磊; 彭俊彪; 兰林锋

来源：2015-07-01, 中国, ZL201510379122.0.

本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置,属于平板显示领域。所述金属氧化物半导体薄膜的成分为金属氧化物；所述金属氧化物包括第一金属元素、第二金属元素和第三金属元素；所述第一金属元素为钪元素、钇元素、稀土元素、铝元素和铟元素中的至少一者；所述第二金属元素为钙元素、锶元素和钡元素中的至少一者；所述第三金属元素为钛元素和锡元素中的至少一者。本发明能够提高薄膜晶体管的迁移率。

• 单位
  京东方科技集团股份有限公司; 华南理工大学