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摘要
将直拉硅、微氮直拉硅样品在氮气氛保护下1 100℃退火8 h,以引入氮杂质。利用低温红外技术(20 K)获得样品的精细光谱。试验发现,在2 850、2 920cm-1处出现2个吸收峰,吸收峰强度随样品中氧、氮含量的升高而升高,且快中子辐照样品中的强度强于未经快中子辐照样品。由此可以断定,这2个吸收峰强度与样品中氮、氧含量及辐照引入的空位缺陷有关,其所对应的缺陷组分可能为N2V2On。
- 单位
将直拉硅、微氮直拉硅样品在氮气氛保护下1 100℃退火8 h,以引入氮杂质。利用低温红外技术(20 K)获得样品的精细光谱。试验发现,在2 850、2 920cm-1处出现2个吸收峰,吸收峰强度随样品中氧、氮含量的升高而升高,且快中子辐照样品中的强度强于未经快中子辐照样品。由此可以断定,这2个吸收峰强度与样品中氮、氧含量及辐照引入的空位缺陷有关,其所对应的缺陷组分可能为N2V2On。
