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摘要
SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应，在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度，因此对SiC超结MOSFET可靠性的分析研究有助于深入理解器件工作机理，为更好地应用提供必要的理论支撑。基于TCAD Sentaurus模拟软件，对1 200 V电压等级的传统SiC MOSFET结构和SiC超结MOSFET结构进行建模。首先对比了2种器件的基本电学参数，然后重点分析了短路特性差异，在相同短路条件下对器件内部的物理机理进行了分析。结果表明SiC超结MOSFET可以有效地提高器件的击穿电压和导通电阻，同时表现出更好的短路可靠性。进一步分析了不同的偏置电压下SiC超结MOSFET的短路特性，结果表明，随着外部施加偏置电压增加，器件的短路耐受时间减小，同时短路饱和电流也会相应增大。
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