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摘要
随着我国武器装备系统复杂性提升和功率等级提升，对IGBT模块的需求剧增，IGBT可靠性直接影响装备系统的可靠性。选取同一封装不同材料陶瓷基板的IGBT模块，分别进行了温度循环试验和介质耐电压试验，对比4种IGBT模块的可靠性差异。结果表明，氮化硅陶瓷基板封装模块温度循环寿命和绝缘性能优于其他材料的陶瓷基板，1 000次循环后介质耐压和外观检验结果合格，DBC基板陶瓷层几何参数与材料是影响可靠性的关键因素。
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单位中国空间技术研究院; 北京卫星制造厂有限公司
