薄膜晶体管阵列面板

作者：宁洪龙; 徐苗; 王磊; 李珊

来源：2016-03-30, 中国, ZL201610190504.3.

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板。所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；扫描线；薄膜晶体管,所述薄膜晶体管具有背沟道刻蚀结构,所述薄膜晶体管包括：栅极；半导体层,所述半导体层中的半导体材料是锡硅氧化物；源极；以及漏极；其中,在所述背沟道刻蚀结构中,所述源极和所述漏极均设置于所述半导体层上,并且所述源极和所述漏极均与所述半导体层相接触；绝缘层,所述绝缘层设置于所述栅极与所述半导体层之间；数据线,所述数据线与所述源极连接；电极层,所述电极层与所述漏极连接。本发明能有效提高薄膜晶体管中的半导体层的耐刻蚀性,能够有效保护所述薄膜晶体管中的背沟道,以防止所述背沟道损伤,从而提高所述薄膜晶体管的稳定性。

• 单位
  深圳市华星光电技术有限公司