研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的Al N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的Al N层,并讨论了Al N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。