PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）

作者：陈芳; 方铉; 王双鹏; 牛守柱; 方芳; 房丹; 唐吉龙; 王晓华; 刘**; 魏志鹏

来源：红外与激光工程, 2016, 45(04): 219-222.

• 氮化铝
• 等离子增强原子层沉积
• 生长速率
• 结晶化
• 表面粗糙度
• 沉积温度

研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的Al N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的Al N层,并讨论了Al N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。

• 单位
  国家硅基led工程技术研究中心; 高功率半导体激光国家重点实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 应用光学国家重点实验室; 南昌大学; 长春理工大学